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各类显示驱动芯片工艺节点解析（附8/12英寸产IC价格排序）

日期：2022-03-18 来源：显示驱动芯片作者：未知

北京时间03月18日消息，中国触摸屏网讯，

显示驱动芯片（DDIC）是显示面板制造中的一个关键部件。通常，无晶圆厂IC设计公司（如联咏科技、奇景光电和LX Semicon）设计DDIC，在半导体晶圆代工厂中采用不同的工艺节点（以微米[µm]或纳米[nm]为单位）制造IC芯片。晶圆代工厂作为原始设备制造商（OEM）与IC公司合作，或为分包商制造关系。之后，IC封装和测试公司完成DDIC的后道工序。然后，DDIC被交付给显示面板厂商，将IC粘合在面板上，实现显示信号驱动功能。

本文来自：http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2022/0318/61183.html

DDIC通常以带载封装（TCP）形式包装和运输。图1显示了LCD面板和DDIC之间的关系。

图1：LCD面板和DDIC

Source: ChipMos

显示面板的分辨率通常以像素和子像素的形式出现。例如，FHD面板意味着分辨率为1920x1080，而4K或超高清（UHD）面板意味着分辨率为3840x2160。3840表示X轴，而2160表示Y轴。3840x2160分辨率表示面板有3840x2160（8,294,400）个像素。每个像素有三个子像素（红、绿、蓝）。因此，面板总共有3840xRGBx2160（2490万）个子像素。

像素和子像素构成了分辨率。DDIC的功能是驱动这些子像素的显示信号。因此，分辨率和每颗DDIC的信道数（pin）决定了每片面板中DDIC的数量，而不一定由面板尺寸决定。

当涉及到DDIC规格时，面板的分辨率是最关键的因素。

在制造DDIC时，晶圆代工厂的工艺节点是最关键的因素。

DDIC通过不同的粘合技术被粘合在面板边缘，如COG (chip-on-glass) 和COF (chip-on-film)。柔性OLED面板也采用COP (chip-on-plastic) 方式，如图2所示。

图2：DDIC的COG、COF和COP粘合

Source: Omdia

由于分辨率是以X轴和Y轴形式出现的，所以有几种驱动IC：

源极驱动芯片（Source driver IC）：它驱动X轴上的信号，也被称为source端或column端。
栅极驱动芯片（Gate driver IC）：它驱动Y轴上的信号，也被称为gate端或row端。在现代，许多面板设计是无栅极或GOA (gate-on-array)，以节省面板边缘空间，使边框更薄。GOA将栅极驱动电路集成到TFT阵列中，这样就可以省掉栅极驱动IC部分。
智能手机DDIC（Smartphone DDIC）：它将源极和栅极集成到单一驱动芯片中。
触控和显示驱动集成（TDDI）：这将触控芯片与显示芯片整合进单一芯片中。

图3显示了DDIC的供应链：

图3：中国台湾的DDIC行业

Source: ChipMos

正如前面所述，DDIC是在半导体晶圆厂里制造的。下图展示了晶圆的外观和上面的IC芯片。

图4：半导体硅晶圆与IC芯片的对比

Source: ChipMos and DISCO

半导体晶圆有两个重要的特征：

晶圆尺寸：半导体晶圆有几种尺寸：6英寸（直径150毫米）、8英寸（直径200毫米）和12英寸（直径300毫米）。主流的尺寸是8英寸和12英寸。
工艺节点：这指的是电路铸造的工艺工艺节点。工艺节点越小，在一块晶圆上可以制造的集成电路就越多。此外，在裸芯片（IC die chip）上可以设计出更微妙和复杂的电路。工艺节点是以纳米来衡量的。一纳米等于一米的十亿分之一（0.000000001米）。在科学符号中，一纳米可以表示为1x10-9米或1/1,000,000,000米。

晶圆尺寸和工艺节点是相关的。12英寸晶圆代工厂比8英寸晶圆代工厂新；因此，12英寸晶圆采用的工艺节点比8英寸晶圆的工艺节点更先进。

8英寸晶圆厂通常使用100纳米到500纳米的工艺制造芯片。

对于12英寸晶圆来说，它们通常采用150纳米和更小的工艺节点，大多在14纳米到90纳米之间。

目前，世界上最先进的晶圆工艺节点是中国台湾台积电的3纳米和5纳米，如图5所示。

图5：台积电的3纳米和5纳米晶圆工艺节点

Source: TSMC

然而，DDIC不需要用如此精细的工艺工艺来生产。DDIC需要的工艺节点为28纳米到300纳米。

一般来说，DDIC和工艺节点之间的关系可以归纳为以下几点：

高清分辨率的大尺寸TFT LCD驱动IC：200纳米至300纳米
FHD大尺寸TFT LCD驱动IC：110纳米至160纳米
4K (UHD) TFT LCD驱动IC：55纳米至90纳米
智能手机和平板电脑TDDI驱动IC：55纳米至90纳米
标准分辨率（HD）TDDI驱动IC：55纳米至110纳米
高分辨率（FHD及以上）TDDI驱动IC：40纳米至55纳米
高分辨率OLED驱动IC：28纳米至40纳米

没有专门生产DDIC的半导体晶圆厂，这表示晶圆代工厂生产各种不同的逻辑IC和应用IC ─ DDIC只是其中之一。这种产能共享在半导体行业内造成了供需波动。

在半导体行业中，有许多不同的逻辑和应用IC共用晶圆代工厂产能。它们与DDIC的关系如图6所示。

图6：工艺节点、应用和DDIC的对比

Source: Omdia

Type-B USB接口IC在8英寸晶圆厂中使用250–500纳米工艺生产。
PMIC在8英寸晶圆厂中采用110–180纳米工艺生产。目前，为了利用12英寸晶圆厂增加的产能，正在开发在12英寸晶圆上使用80-90纳米工艺制造PMIC。
宽屏扩展图形阵列（WXGA）和FHD分辨率的车载显示源极驱动芯片是在8英寸和12英寸晶圆厂中采用110–160纳米工艺生产的。
由于产能共享，PMIC的紧缺正在影响车载显示源极驱动芯片。
对于液晶电视面板，高清分辨率的源极和栅极驱动IC是在8英寸晶圆厂使用200–300纳米工艺生产的。FHD和UHD源极驱动IC是在8英寸晶圆厂使用110–160纳米工艺生产的。
对于液晶桌上型显示器面板，HD和FHD源极和栅极驱动IC是在8英寸晶圆厂中用190-300纳米工艺制造的。FHD、UHD和高分辨率游戏显示驱动IC是在8英寸晶圆厂中用110-160纳米工艺制造的。
对于笔记本电脑面板，HD驱动IC是在8英寸晶圆上采用200-300纳米工艺制造的，而FHD和UHD驱动IC是在8英寸晶圆上采用110-160纳米工艺制造。一些高分辨率的UHD源极驱动IC是在12英寸晶圆上采用70-80纳米工艺制造的。
T-con芯片是在8英寸和12英寸晶圆上分别采用100-110纳米或40–55纳米工艺制造的，范围很广。有些甚至是用28纳米以下的工艺制造的。
FoD (Fingerprint-on-display ) IC是在8英寸晶圆上采用180纳米工艺制造的。
所有平板电脑和智能手机的LCD和OLED DDIC都是在12英寸晶圆上制造的。TDDI芯片是主流，它将触控芯片与显示芯片整合在单一芯片中。
平板显示TDDI驱动IC是在12英寸晶圆上使用55-90纳米工艺制造的。
智能手机高清分辨率TDDI驱动芯片是在12英寸晶圆厂采用55-110纳米工艺制造的。
智能手机FHD TDDI驱动芯片是在12英寸晶圆上采用40–55纳米工艺制造的。
CIS在12英寸晶圆代工厂产能中占据重要地位。低端CIS与大尺寸TFT LCD显示驱动IC共享产能，而中端CIS与智能手机高清TDDI共享产能。高端CIS与智能手机FHD TDDI共享产能。
AMOLED DDIC是在12英寸晶圆上使用28–40纳米工艺制造的。

半导体晶圆厂通常与无晶圆厂IC设计公司签订长期合同，包括DDIC制造，以分配晶圆产能。

然而，IC的价格始终是第一考虑因素。晶圆代工厂商，如台积电（TSMC）、联电（UMC）、Global Foundries、力积电（PSMC）、世界先进（VIS）、晶合集成（Nexchip）、中芯国际（SMIC）、华邦电子（Winbond）等，都在经营分包制造业务。因此，实现收益和利润最大化是他们的首要任务。

IC芯片的价格水平是决定产能分配的一个因素。

下图显示了8英寸和12英寸晶圆厂的产能分配优先级与IC价格水平。

图7：8英寸晶圆应用和IC价格水平