北京时间01月11日消息，中国触摸屏网讯，原标题：三量子点高效调控比特　　近期，中国学者在半导体量子计算芯片研究方面取得新进展。中科院量子信息重点实验室郭国平研究组创新性地引入第三个量子点作为控制参数，在保证新型杂化量子比特相干性的前提下，极大地增强了杂化量子比特的可控性。国际顶级期刊《应用物理评论》日前发表了该成果。
 

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　　由于固态系统环境复杂，存在着电荷噪声、核磁场等各种退相干机制，不同形式的编码方式都有一定局限，比特的超快操控与长相干往往不可兼得。郭国平研究组2016年首次在砷化镓半导体双量子点芯片中实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特，将传统电荷量子比特的品质因子提高了10倍以上。

　　近期，为了提高杂化量子比特能级可控性，研究人员将非对称思想进一步运用到三量子点系统，将原有的双量子点结构扩展成线性耦合三量子点系统。他们通过理论计算分析发现，当中间量子点与其两侧量子点耦合强度非对称时，电子在双量子点中演化的能级结构可以被第三个量子点高效地“间接”调控。

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