ATLab开发出多点触控式电阻膜技术

作者: 51Touch     时间:2009-06-22     源于:光电新闻网    总点击:
【导读】:韩国ATLab Inc宣布开发出电阻式多点触控(Resistive Multi Touch,R-MT)技术,Han wool Information Tech (HWIT)公司将负责制作产品。据ATLab表示,其技术具备电阻膜触控屏幕的低价优势,且性能可超越iPhone。

    北京时间06月22日消息,中国触摸屏网讯,韩国ATLab Inc宣布开发出电阻式多点触控(Resistive Multi Touch,R-MT)技术,Han wool Information Tech (HWIT)公司将负责制作产品。据ATLab表示,其技术具备电阻膜触控屏幕的低价优势,且性能可超越iPhone。

    本文来自:http://www.51touch.com/touchscreen/news/front/200906/22-2271.html

  ATLab开发的电阻膜R-MT技术为100%数字电路,可达到快速反应及减少功率消耗等目标。R-MT允许使用者同时使用手指及手写方式,输入语言方面无限制,可使用韩文、英文或汉字。还可用手指放大或缩小图片。

  在制作成本方面,R-MT也较电容式多点触控(C-MT)更具优势。目前,ATLab已拥有三项相关专利,包括:KRAP10-2008-0127410;KRAP10-2009-0014944;KRAP10-2009-0028199。

  新的R-MT大幅简化了制程,它以UV Ink和内建ITO之Poly Carbonate取代使用光学式薄膜与2张ITO膜的方式,可大幅减少制作成本、提高产品制作速度,甚至还可以提高良率。据估计,透过上述方式,约可减少10~15%的成本支出。

  ATLab Inc已开发出兼具电阻与电容触控优点的技术,未来也计划推出客制化产品,为用户提供ASIC解决方案。


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