北京时间12月02日消息，中国触摸屏网讯，   南韩科学技术院（KAIST）专利管理子公司KAIST IP上月底向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星电子、高通和格罗方德三家半导体擅自盗用其所拥的鳍式场效电晶体（FinFET）技术，要求支付专利费，且下波不排除瞄准台积电和苹果。

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    台积电发言体系昨（1）日表示，台积电尊重智慧财产权，也绝对捍卫智慧财产权，因对方尚未提告，且被控告的三家半导体公司已进入司法程序，台积电不便做任何评论。

    鳍式场效电晶体是积体电路进入三度空间（3D）的重要技术突破，并让摩尔定律得以延伸。主要半导体厂包括台积电、三星、英特尔、格罗方德及联电等都跨入这项领域。

    外电报导引述KAIST IP说法，三星、格罗方格、台积电都使用FinFET技术生产手机晶片，却不支付使用费。

    据了解，KAIST IP已和三星就支付使用费一事进行相当长时间协商，但三星都拒绝，最终协商破裂；高通和格罗方德也都不予理会。

    台积电内部认为，三大半导体都拒绝支付专利费用给KAIST，显见三家公司都具备自主研发的FinFET技术。

    三星、格罗方格以14奈米FinFET制程技术供应晶片给高通，台积电则以16奈米FinFET制程帮苹果生产iPhone用晶片。

    半导体产业因三星和台积电进入14/16奈米FinFET制程，让整个IC制程进入3D架构，其中台积电在16奈米以优越的良率和电晶体效能和低耗电，独得苹果A10处理器订单，拿下压倒性胜利。

    不过，三星也抢下高通部分订单，并决定在7奈米扳回一城，目前全面导入极紫外光（EUV）作为曝光显影设备，要和台积电一较高下；随着高通在7奈米重新拥抱台积电，且苹果A11处理器仍由台积电以10奈米制程独家生产，凸显台积电在10/7奈米，已拉开和三星差距。

    鳍式场效电晶体（FinFET），是新的多重闸极3D电晶体，电晶体的闸极环绕包裹着电晶体的高架通道，因为形状与鱼鳍相似才以此命名。鳍式场效电晶体与传统的平面型电晶体相较，可提供更佳功耗和效能。

    鳍式场效电晶体的架构中，闸门成类似鱼鳍的3D架构，可更妥善控制电流，降低耗电。台积电切入16奈米FinFET；三星、格罗方德、联电与英特尔等，则是切入14奈米FinFET制程。