北京时间02月09日消息,中国触摸屏网讯,三星电子(Samsung Electronics)2014年转进20纳米制程投产PC DRAM,计划2015年将20纳米制程DRAM量产比重提升到50%以上,首当其冲的是采用25及28纳米技术的DRAM价格恐快速滑落。记忆体业者指出,近期韩厂传出因DRAM良率问题,部分无法通过PC OEM厂认证的芯片流入市场,带动价格下跌,2015年包括三星、SK海力士及美光(Micron)纷将陆续转进20纳米制程,实际产出量要视良率而定。
1月下旬PC DRAM(4Gb DDR3)平均售价(ASP)已跌到3.38美元(DRAMeXchange资料),较2014年底滑落5.85%。事实上,PC DRAM价格在2013年底攀上3.94美元高点,持续维持小幅涨跌至2014年10月,随后价格便一路下滑,至于前一波涨价主要系因三星提高销售单价高的Mobile DRAM生产比重,以及SK海力士大陆无锡工厂发生祝融之灾,DRAM产量大幅下滑。
更多记忆体业者表示,当初PC DRAM供应量减少,不仅带动价格提升,更挹注25及28纳米制程DRAM量产比重较高的SK海力士及美光,获利大幅改善,2014年全球主要记忆体厂业绩均呈现好转情况。
不过,随着半导体先进制程转换及良率提升,DRAM价格将再度大幅下滑,韩系业者已预期2015年DRAM市场恐将再度掀起激烈的削价竞争,主要系因三星开始推出20纳米PC及伺服器用DRAM,导致原本采用25及28纳米制程产品价格滑落。
DRAMeXchange认为,对于已转进20或25纳米制程的DRAM厂商,短期内获利将不会有太大影响。业界则预期仍以28纳米制程为主的美光,以及采用30~40纳米制程生产DRAM的台厂,2015年获利恐怕不甚乐观。
至于已进入25纳米制程的SK海力士,恐亦难高枕无忧,因为三星计划在2015年将20纳米制程DRAM量产比重提升达一半以上,SK海力士将透过提升高附加价值的Mobile DRAM量产比重,降低对PC DRAM依赖,同时快马加鞭进行研发作业,以提早进入20纳米制程量产。SK海力士相关人士指出,目前20纳米DRAM研发已进入倒数阶段,预计2015年上半将可以投产。
记忆体业者表示,攸关2015年DRAM市场需求的最大变数,将是苹果(Apple)新一代iPhone智能型手机内建记忆体将由1GB升级为2GB,可望带动DRAM大厂加速将PC DRAM产能转移至Moible RAM生产上,若苹果供应链在第2季进入全面备货阶段,陆续将产能转移至Moible RAM,可望让PC DRAM价格稍微止跌。
三星电子(Samsung Electronics)宣布率先量产20纳米绘图DRAM,并完成全品项DRAM的20纳米制程体系。预估三星电子靠着20纳米技术,可望达成2015年市占率50%以上目标,并拉大与SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)等业者的差距。
全球20纳米DRAM目前只有三星电子独家生产,相较于其他业者主力产品多为25纳米。2014年三星电子先后量产20纳米个人电脑DRAM、移动DRAM与伺服器DRAM,最近更是宣布量产20纳米绘图DRAM,三星电子因此成为全球最早以20纳米制程量产全品项DRAM的业者。
市调机构则是预测,2015年全球DRAM市场规模将比2014年成长14%,上看528.3亿美元。三星电子也计划2015年将20纳米DRAM量产比例拉高到全体DRAM产量的40~50%。
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