北京时间06月23日消息,中国触摸屏网讯, 美国南加州大学维特比工程学院(University of Southern California Viterbi School of Engineering)宣布,该校研究人员组合使用碳纳米管(CNT)TFT与氧化物半导体InGaZnO TFT,试制出了最大501级的环型振荡器以及逆变器电路、NAND电路、NOR电路等。有关论文已在学术杂志《自然通讯》(Nature Communications)上发表。
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由于可在柔性基板上制作电路,因此除了RFID之外,还有望应用于柔性有机EL显示器的背板、传感器、可穿戴终端、闪存及车载HUD(head-up display,平视显示器)等用途。
此次试制将CNT TFT作为p型晶体管、将InGaZnO TFT作为n型晶体管形成互补电路。501级的环型振荡器使用的TFT为1000个以上,其中约200个为CNT TFT。
另外,使用20个CNT TFT和20个InGaZnO TFT在硬质基板上制作的电路,其载流子迁移率平均达到了11.8cm2/Vs。
推进开发的南加州大学电子工程系周崇武教授表示,原来一直在进行将CNT TFT作为n型晶体管使用的研究,但进展不很顺利。所以后来考虑将作为n型晶体管工作的InGaZnO TFT与p型CNT TFT相结合。周崇武教授介绍说,结果证明“的确是绝配”。