北京时间06月20日消息，中国触摸屏网讯， 硅基氮化镓(GaN-on-Si)基板技术发展添变数。囿于大尺寸GaN-on-Si晶圆製造良率迟迟无法提升，不少LED磊晶厂已开始考虑降低投资金额，或转而投入技术门槛较低的功率元件应用市场，让原本备受期待的GaN-on-Si LED发展前景垄罩阴霾。
 
    今年硅基氮化镓(GaN-on-Si)基板市场发展急冻。去年5月底，普瑞光电(Bridgelux)与东芝(Toshiba)风光宣布，共同成功开发出基于8吋GaN-on-Si基板技术的发光二极体(LED)晶片，该元件採用350毫安培(mA)电流，电压小于3.1伏特(V)、大小仅1.1毫米、亮度可达614毫瓦(mW)。
不料，在这振奋人心的消息过后不到1年的时间，今年4月底普瑞光电与东芝再度共同宣布，普瑞光电将出售旗下所有GaN-on-Si技术资产予东芝，两者于GaN-on-Si基板上的技术合作将告一段落，此举犹如在业界投下一枚威力不小的震撼弹。

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    据了解，在最新的协议中，普瑞光电将向东芝出售其GaN-on-Si技术和相关资产，未来双方将透过延长的授权与製造关係，增强策略技术合作。这项资产转移协议相关程序已于5月底顺利完成。

    普瑞光电执行长Brad Bullington表示，普瑞光电与东芝将共同迈向GaN-on-Si基板LED固态照明技术的下一个里程碑，未来普瑞光电仍将致力推动GaN-on-Si技术商用化，不过，于此同时，普瑞光电将持续开发蓝宝石LED基板方桉，以藉此提供客户更高水准及创新服务。

    东芝企业副总裁兼半导体与储存产品执行副总裁Makoto Hideshima认为，与普瑞光电的合作进入新阶段后，东芝就能加快8吋GaN-on-Si LED晶圆的规模化生产，此举将让双方各自的LED业务部门业绩持续成长。不仅如此，东芝获得的GaN-on-Si技术还将为东芝功率元件的开发与生产带来突破。

    针对上述消息，晶元光电研发中心副总裁谢明勳指出，普瑞光电与东芝的合作动态正如同磊晶业界的投资风向球，由于GaN-on-Si技术突破需要一段更长的时间，若就单纯以业界目前的进度而言，至少还需3年才能进入大尺寸基板量产的成熟阶段，因此，此次的消息发布并不让人意外。

    事实上，目前LED照明市场的基板市占仍以蓝宝石基板及碳化硅(SiC)基板为主，而虽然近年GaN-on-Si基板技术亦快速崛起，但目前GaN-on-Si基板除良率外，还有几项挑战待解。

    台积固态照明总经理谭昌琳分析，GaN-on-Si基板刚开始受到关注的原因，即硅材于半导体製程技术已相当成熟，但实际上GaN-on-Si基板在成长过程当中产生的弯曲情形，并无法适用于现有的晶圆平整设备，因此，生产GaN-on-Si基板的设备投资金额几乎等同于投资一家新的8吋厂，而高昂的投资数目遂成为厂商发展踌躇的一大原因。

    不仅如此，现行大尺寸LED磊晶有机金属化学气相沉积(MOCVD)系统的实战经验不足，去年第四季爱思强(AIXTRON)才推出8吋产线版本，而目前12吋版本基本上仍係单片方桉，属于磊晶厂的研发(RD)阶段设备，距离正式运转、大规模商用化还须1?2年测试时间。

    另一方面，因硅基板本身具吸光特性，所以厂商为提高LED晶片发光效率，多半都会在磊晶生成以后将硅基板去掉，并须在封装步骤时加上反射层，增强LED晶片整体亮度表现，因此，整体的物料成本是否能显着下降仍充满许多问号。