北京时间03月31日消息，中国触摸屏网讯， 台湾嵌入式非挥发性记忆体(Embedded Non-Volatile Memory)矽智财供应商力旺电子(eMemory)宣布，其嵌入式快闪记忆体矽智财NeoFlash 除可应用于MCU 、消费性电子产品外，近期内已成功实现于触控晶片(Touch Panel Controller IC)与电池容量侦测晶片(Gauge IC)之客户产品上，并已进入试产阶段。

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    力旺指出，因应消费性电子产品提高产品效能、降低功耗与缩小尺寸之需求，IC晶片嵌入使用NeoFlash 矽智财将可大幅减少耗电量与整体系统产品之成本；以Gauge IC为例，嵌入使用NeoFlash矽智财将可有效储存电池操作模式，记录耗电程度，协助发挥电池之最佳效能，且因制程简化，使其能较传统内嵌式快闪记忆体节省至少25%的制造成本。

    而力旺的NeoFlash因容量规格涵盖范围广泛(16Kbits~2Mbits)，特别适合须具有高度运用弹性之智慧型手机、平板电脑、微控制器等应用市场，可积极协助客户推出多样化产品、满足不同需求。该公司核心技术NeoBit、NeoFlash与NeoEE具有制程简单、成本低廉与保密性佳的优势，应用端厂商将力旺矽智财产品嵌入晶片后，只需对晶片进行库存管理，不须如传统外挂式快闪记忆体进行额外之库存管理，也毋需担心因库存不足或产能受限而延误产品上市时间，能具体缩短开发周期。

    其次，嵌入式矽智财因经过封装，不容易被盗拷，对于重要资讯的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智财最大操作电压仅需6伏特，与逻辑制程完全相容，故使用NeoFlash可将外加之光罩数自一般8至9道缩减至2至3道，降低制程复杂度与生产成本。

    力旺表示，展望未来，可预期NeoFlash与NeoEE之营收贡献将渐次发酵，挹注产品营收。自NeoFlash系列矽智财推出迄今，已深获台湾、美国、日本等地客户之肯定，目前0.18微米之逻辑与高压制程均已可供量产，而0.13微米与0.11微米则预计于2011年底通过验证与导入量产。