北京时间03月10日消息，中国触摸屏网讯，   存储器市场在去年下半年已供给吃紧，今年以来缺货持续恶化，系统厂及ODM/OEM厂不得不提高采购价格并扩大下单，以避免下半年旺季到来时，因缺DRAM或NAND Flash而影响出货。

    本文来自：http://www.51touch.com/material/news/dynamic/2017/0310/46185.html

    近几年存储器厂没有太大的扩产动作，以DRAM市场来说，三星、SK海力士、美光从2015年以来的“位元出货”维持成长，主要是靠制程由30纳米微缩到20纳米或1x纳米来达标。但是，透过制程微缩，会导致产能自然减损，如生产30纳米DRAM且月产能达12万片的12寸厂，若完全微缩到20纳米，单片晶圆的同容量颗粒产出虽可提高5成以上，但月产能将降至10万片左右。

    在产能成长有限下，需求端的成长却持续加速，主要动能来自于装置搭载量的跳跃增加。

    以笔电来说，去年以前因受制微软Win 10权利金的收取方式，OEM厂只愿搭配4GB DRAM模组，但微软去年底改变权利金收取规定后，厂商就从第4季起改推改搭载8GB DRAM模组的机种。

    此外，智能手机的Mobile DRAM搭载容量，也是跳跃式成长。在双镜头、影音串流及人工智能相关应用等规格不断推陈出新下，单机搭载容量由去年平均的3～4GB，至今年已成长至5～6GB，部份旗舰机种更直接搭载8GB。

    在NAND Flash市场，去年下半年以来最大的产能成长瓶颈，在于上游原厂在转换3D NAND时良率不佳。由于盖一座月产能达6万片以上的新NAND Flash厂，投资额超过80亿美元，包括三星、东芝及西数、SK海力士、美光及英特尔等四大阵营，都是移转2D NAND产能来生产3D NAND。也由于2D NAND的投片量减少，3D NAND产出良率不佳，导致NAND Flash市场位元成长停滞。

    但在需求上，单机搭载容量同样出现大跃进，如笔电去年起大量以固态硬盘(SSD)取代传统硬盘(HDD)，去年初SSD搭载主流为128GB，去年底已成长至256GB，今年以来卖最好的电竞笔电更直接搭载512GB。

    智能手机的搭载容量同样倍数成长，如2015年的iPhone主流机种搭载64GB，但去年已提高至128GB，还推出内建256GB的高端机种。不仅如此，中国品牌如华为、OPPO、vivo等也向iPhone主流存储容量靠拢，在高端机种的行动式NAND Flash搭载量主流，已从32/64GB攀升至64/128GB，也带动中低端机种的搭载量上升。

    由于存储器厂今年的资本支出集中在3D NAND的转换上，产能要等到第4季才会开出，DRAM则几乎没有扩产动作，只是加快1x/1y纳米的微缩。因此，存储器今年会缺一整年，价格看来也会逐季调涨。 

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