北京时间06月13日消息，中国触摸屏网讯，      晶圆代工二哥联电28纳米高介电金属闸极（HKMG）制程良率获得重大突破，顺利拿下高通及联发科订单，将成下半年成长主要动能。

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　　为了拉近与龙头台积电间的差距，联电14纳米鳍式场效电晶体（FinFET）制程将于明年上半年开始试产，10纳米世代将加入由IBM主导的通用平台（Common Platform）联盟，与三星、格罗方德（GlobalFoundries）共同合作开发。
联电11日召开股东常会，通过配发0.5元现金股利及私募案，董事长洪嘉聪除了强调私募案绝对不会折价发行的立场，也表示28纳米多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）及HKMG制程良率显着提升，且在14纳米以下制程开发上，联电延续2012年与IBM签订的授权协议，在10纳米世代加入IBM技术开发联盟。
联电5月营收达119.3亿元改写历史新高，财务长刘启东表示，第2季产能利用率逼近9成，8寸厂产能全线满载，其中LCD驱动IC产能更是供不应求。联电台湾地区8寸厂扩产空间有限，苏州和舰则将在本季将月产能由4.4万片提升到4.8～5万片，也不排除透过并购方式扩产，至于第3季营运表现看来将会比第2季更好。
联电今年第2季移动装置芯片接单强劲，40纳米接单全满，28纳米HKMG制程因良率上有明显突破，也传出获得高通、联发科等手机芯片代工订单。而联电不评论接单情况，但刘启东表示，28纳米第2季营收占比将达1％，第4季会达5％，HKMG制程接单将成主流。
台积电今年全力冲刺20纳米产能，明年则转进16纳米FinFET制程世代。联电因为28纳米明显落后，所以决定跳过20纳米，直接转进与IBM合作的14纳米FinFET制程，预估明年上半年开始试产。同时，联电南科12寸厂Fab12A的第5期将在明年下半年开出产能。
联电也决定在10纳米世代加入IBM主导的通用平台，将与IBM、三星，以及格罗方德共同研发10纳米技术，以缩减与台积电间的技术差距。

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