北京时间08月30日消息，中国触摸屏网讯， 应用材料公司25日宣布，新推出具突破性的Applied Producer® Eterna™流动式化学气相沉积系统(Flowable CVD)，能运用电流隔绝记忆体及逻辑晶片设计中20奈米及以下制程的浅沟电晶体，具高品质的电介质薄膜，是首桩也是唯一可处理薄膜沉积的技术。电晶体与电晶体间的浅沟层皆可完成30:1 纵横比的填洞，较目前技术需求高出五倍，而且具高复杂的纵横比。 Eterna流动式化学气相沉积系统独特的能力，可以将浅沟层自下到上完全填洞完毕，并产出紧密、无碳的介电质薄膜，比液态旋转式薄膜(spin-on)沉积方式的成本便宜一半，液态旋转式薄膜沉积需更多的设备及更多道的制程手续方能完成。

    本文来自：http://www.51touch.com/material/news/201008/30-7611.html

    应用材料公司副总裁暨DSM/ CMP产品处总经理比尔‧麦可林塔(Bill McClintock)表示，由于先进晶片设计中，需要填出更小更深的沟层，成为目前沉积技术无法突破的物理性障碍。今日应用材料公司已有杰出的技术突破，我们推出新的Eterna流动式化学气相沉积系统，能形成破坏性创新，让制程技术能遵循摩尔定律持续进步。拥有这套Eterna 流动式化学气相沉积系统，应用材料公司可望持续维持长达十年的填洞技术领导地位，为客户提供独特、简化、具成本效益的解决方案，以克服多种新世代晶片技术所面临的挑战。

    应用材料公司具专利的Eterna流动式化学气相沉积制程，能沉积出如液体般的薄膜，可自由流动于任何结构中，形成自下到上的无空隙填充效果。 Eterna流动式化学气相沉积系统可整合至应用材料公司的Producer平台，目前已装在六处DRAM、快闪记忆体及逻辑应用客户端的机台上。

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