北京时间04月16日消息，中国触摸屏网讯，三安光电透露Micro LED最新进展LED市场

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在2018国际显示技术会议（ICDT 2018）上，三安光电徐宸科副总指出Micro LED相较于其他显示方式如LCD、LCOS、DLP、OLED，都有较高的评价，其中对比应用较广的OLED显示应用，Micro LED在亮度及信赖性上都更胜一筹外，又可以搭配软性基板达成可弯曲的特性，因此三安光电看好Micro LED发展后势且积极发展。

目前三安光电已可组成RGB全彩Micro LED显示器，其中RGB芯片的外部量子效率(EQE)预估依序为18%、30%、60%，未来仍持续提升。另徐宸科副总提到三安光电也可依客户的需求提供芯片转移、Bonding等方案，并搭配水平或垂直式电极LED芯片等技术服务。其中水平式电极的Flip Chip的芯片尺寸约可达30~100μm，垂直式电极芯片约可达10~100μm。

此外，其他厂商及学者也作了分享。

錼创

在2018国际显示技术会议（ICDT 2018）上，台湾地区厂商錼创 (Playnitride)展出Micro LED显示器，令在场参观者惊艳，共分白光、绿色以及全彩3种色彩显示。

其中0.89’’显示器应用于手表上，ppi约为169，并使用蓝色LED芯片+Phosphor色彩化方案。另外还有0.8’’显示器， ppi提高至230，搭配绿色LED芯片的单色方案。最后还展出全彩0.89’’显示器，使用RGB LED的芯片组合，约103 ppi。錼创期望未来持续提升技术，以朝向Micro LED显示器商业化的路迈进。

和莲光电

另对于背板驱动专精的厂商和莲光电(Jasper Display)，展出以Silicon为背板的Micro LED显示器，目前显示技术已发展至0.7’’，显示尺寸可达4K分辨率，虽为单色显示但Pixel Size最小却能达到3.74μm，具备高显示效果。 

Leti公司

Leti公司的Francois Templier提到，Micro LED应用在AR VR等穿戴使用的显示器上，需满足高分辨率与显示面积小的高需求，因此LED芯片尺寸以及LED Pitch上将更加微缩。传统Flip Chip Bumping最大极限约在15μm，若是在Wafer上，分别在GaN Array上制作Micro Tube，在与基板bonding时，Micro Tube将直接插入接触所对应的连接Pad，无需如锡球Bonding时，LED间距需预留距离避免金属溢流短路，因此Micro Tube的应用将缩短LED bonding pitch。目前Leti已将此技术应用在单色显示器上，Pixel Pitch约10μm，分辨率873 x 500 Pixels。

刘纪美教授

刘纪美教授指出Micro LED未来随着LED芯片越来越小，除了转移上的技术外，在LED的芯片制造质量上也需要稳定与成熟，才能提高产能，降低生产成本。在电路设计上，将尽可能以成熟的集成电路设计为主，方能寻找到最适合Micro LED驱动的方案。

目前刘纪美教授研发的Micro Display最小可达0.19’’，1700 ppi，为单色显示方案。LED微型化量子点的应用将不会缺席，因此刘教授的团队也运用了量子点的技术达成全彩化，目前是采用喷墨印刷的方式将RGB 量子点均匀涂布于Micro Display上，显示器约3.6mm(L) x 3.6mm(W)，分辨率约40 x 40 pixels。

杨绪勇教授

上海大学的杨绪勇教授指出，QD应用在LED上的发展目前受限于价格以及寿命。而QD的材料价格不便宜，因此相关的应用易转嫁到消费者身上，从而降低市场竞争力。此外，寿命约在100~1000小时不等，因此杨绪勇教授尝试在QD加入了金属氧化物薄膜，以增加QD的稳定性进而增加其寿命。改善后测试，寿命可达16000小时(@100 nits)，将有助于未来QD应用在LED上更迈进一步。（文/LEDinside Max）返回搜狐，查看更多
 

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