其实其中关键的一半，在于MBE方法的使用。

如题所说生长方法是MBE(molecular beam epitaxy, MBE)是做薄膜材料生长，科研领域里的一个比较常见的方法。但是，做薄膜这事，科研上用的很多的方法未必能在工业上用。工业上一般就三大类：真空蒸镀，磁控溅射和CVD。个人建议不妨考虑一下磁控溅射方法。CVD也查一下资料吧。这俩估计项目投资也就几千万到几个亿罢了（逃，半导体就这样）

MBE是在超高真空环境下，直接将已经被原子化的半导体元素直接“喷”到衬底表面。在高级的MBE设备里，你可以使用几个喷枪同时喷原子到衬底表面上。

关于这道题，可能的做法是：

1. 先在衬底上制造蓝光LED器件。因为蓝光LED相比红黄光最难做。
2. 用MBE仪喷红，黄光LED到已经被制造成功的蓝光LED器件上。借此应该是可以制造出，白光LED的。

当然，或许用荧光粉可以替代其中的部分半导体生长工艺。

在这个过程中要尽量少做薄膜蒸镀，用荧光粉或者掺杂之类替代是一个很好的思路。

优点：毫无疑问MBE做薄膜生长是非常高级的方法（相比工业上应用的比较多的真空蒸镀和磁控溅射）。这种方法是可以制造极高品质薄膜器件的。尤其是可以制造一些，用传统方法不可能制造出来的器件。

缺点：这套设备价格会非常高。首先，要求真空度在10负8次方以下，光是真空设备就是一个极大的支出了。另外，成型的专门做MBE的设备，价格至少都在数百万人民币以上。因为大学做MBE的都不是非常多。能够成规模大批制造白光LED器件的工业设备价格只会更可怕（整个生产线或许吃掉几十个亿都是很轻松的）。