日厂不甘示弱积极抢进Micro LED显示技术

作者:51Touch时间:2017-07-05 来源:联合新闻网

[摘要]光电协进会(PIDA)表示,Micro LED有望成为面板市场伏兵,由于Micro LED将微米级RGB三原色LED芯片以高密度磊晶在基板上,由单颗芯片做画素(pixel)形成高密度矩阵画面,可有效取代液晶的CF及OLED发光材料。

    北京时间07月05日消息,中国触摸屏网讯,Micro LED 面板市场伏兵。AMOLED(主动式有机发光二极管)因苹果(Apple)将推出OLED版本受市场青睐而爆红,但因韩厂三星显示(SDC)独占全球95%市场,使得日厂不甘示弱积极抢进Micro LED显示技术,苹果也不想让三星独霸,正研发Micro LED应用于中小型显示器。

    本文来自:http://www.51touch.com/lcd/news/analysis/2017/0705/47673.html

光电协进会(PIDA)表示,Micro LED有望成为面板市场伏兵,由于Micro LED将微米级RGB三原色LED芯片以高密度磊晶在基板上,由单颗芯片做画素(pixel)形成高密度矩阵画面,可有效取代液晶的CF及OLED发光材料。由于LED发光组件在稳定度以及效率上具极佳效能,优于OLED,加上芯片价格下跌与技术开发进步,使得Micro LED具开发利基点。

但由于目前技术门坎仍高,尽管Micro LED在制程及成本上相较于OLED有优势,然而距离实际应用技术门坎仍相当高,PIDA指出,蓝绿光LED芯片是将氮化镓磊晶在蓝宝石基板上,所以两者能同时制作,而红光LED芯片是以砷化镓为基板,因此整合RGB芯片并非易事。

而目前已有产品的日厂Sony所制造的CLED,为达到高画质效果,采用个别制造LED芯片,将200万组RGB芯片,合计600万个LED芯片进行高密度封装,制程难度极高。若进阶到4K/8K高分辨率,除具备高密度封装技术外,若单一芯片不良势必影响影像效果。

PIDA估计Micro LED至少要到2020年,才有机会开始商业化应用;尽管技术仍有难关,但因台厂已在OLED技术竞赛中失去机会,产业寄望借重Micro LED重夺市场发球权。
 

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