高速低耗---富士通开发出NOR型闪存新技术
作者:TouchScreen时间:2010-03-26 来源:驱动之家
[摘要]富士通微电子公司日前宣布,已经成功开发出一种NOR型闪存新技术,可提高闪存读取速度,并同时降低工作电流。
北京时间03月26日消息,中国触摸屏网讯, 富士通微电子公司日前宣布,已经成功开发出一种NOR型闪存新技术,可提高闪存读取速度,并同时降低工作电流。
本文来自:http://www.51touch.com/hmi/news/dynamic/201003/26-6086.html
富士通在NOR型闪存中,引入了其专利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速访问随机存储)中的电路元素,从而实现了高速低功耗和高可靠性。这种新型NOR闪存可将访问速度提高2.5倍达,访问时间仅10ns,同时工作电流降低三分之二达到9μA。通过在嵌入式设备中应用这项技术,便携音视频设备将有望改进性能,同时延长电池续航时间。
富士通表示,将以这项NOR闪存新技术为核心,结合高可靠性、高耐热性、高性能等技术,应用于汽车电子、工控设备以及消费电子产品中的嵌入式微控制器产品中。
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