凸版印刷的伊藤学以“透明非晶氧化物半导体的电子纸应用范例：柔性显示器与透明TFT阵列”为题，介绍了两项技术。一项是用于驱动美国E Ink的电子纸前面板，在柔性底板上形成氧化物半导体TFT驱动电路的“柔性电子纸”。另一项是形成于彩色滤光片底板上的“前驱动型彩色电子纸”技术。后者能够使TFT驱动电路在彩色滤光片底板上与其融为一体，省去了过去高精度合并的复杂程序。

　　TFT元件以非晶In-Ga-Zn-O（通称a-IGZO）为通道，源-漏极由ITO组成。即底栅顶接触型结构。即使使用150℃低温工艺，也能够获得电子迁移率为6cm2/Vs、电流开关比超过109的良好n通道型TFT特性。

　　其面临的课题在于为电子纸的大面积化寻找基于Al合金的低电阻布线技术和TFT感光性对策。在演讲的最后，伊藤表示：“我们将利用印刷公司独有的‘印刷技术’，推动工艺与产品的开发。”

　　韩国三星尖端技术研究所（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）的Myung Kwan Ryu以“基于涂布工艺的氧化物半导体TFT显示器和可印刷电子”为题，介绍了以实现无需真空处理的低成本工艺为目标的“液体材料氧化物半导体膜”形成技术。

　　该技术首选需要选用醋酸锌（Zn（CH3COO）3·2H2O,ZnAc）和醋酸铟（In（CH3COCHCOCH3）3,InAcAc）作为原材料前体，将这些材料溶于2-甲氧基乙醇（2-ME）中制成溶液。然后将溶液旋涂于玻璃底板和Si底板上，在空气中实施250～300℃的软烘，接着以450℃的温度正式烧制。在底板上形成表现氧化物半导体特性的IZO膜。与溅射成膜相比，膜虽然具有多孔性，但TFT特性良好。在成分为In：Zn=3：1的区域可以得到TFT电子迁移率为6cm2/Vs、电流开关比超过108的特性。TFT特性的稳定性也不逊于溅射成膜TFT。

　　该技术最大的课题在于工艺温度的低温化。Ryu表示：“我们在今后将以此次的材料为基础，借助化学家的智慧，全力开发能够应用于塑料底板、支持低温及溶液处理的材料。”

　　东京工业大学神谷利夫的演讲题为“从IMID2009看氧化物半导体TFT的最新情况”。

　　神谷首先以其2002年开始着手研究的氧化物半导体为对象，叙述了“氧化物半导体材料与TFT的历史”。接着又介绍了IMID2009等研讨会上透露出的最新氧化物半导体开发情况。

　　神谷的研究小组（东京工业大学细野及神谷研究室）发布氧化物半导体TFT技术（2004年）已逾五年。如今，使用a-IGZO膜的TFT的特性在迁移率、阈值以及S值等方面已完全可以驱动有源矩阵型有机EL显示器和TFT液晶显示器。在此次“FPD International 2009”展会上，使用氧化物半导体TFT的显示器也展现出了良好的图像显示特性。神谷表示，虽然在技术上似乎达到了实用化水平，但“‘稳定性’依然可能成为量产化的技术课题”。

　　近期的论文和演讲都曾报告过空气（水，氧，氢）及焦耳热造成的不稳定性。IMID2009上也传出了“各批次的特性误差无法解决”的声音。