驱动OLED面板的有力候补 氧化物半导体TFT备受期待

作者: TouchScreen     时间:2010-02-08     源于:中国OLED网    总点击:
【导读】:与原来采用非晶硅TFT相比,氧化物半导体TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs,是前者的10倍左右,这样就便于提高OLED面板的亮度。另外,氧化物TFT的特性不均较小,而且电流的时间变化也较少。

    北京时间02月08日消息,中国触摸屏网讯, 用于液晶面板、OLED面板以及电子纸等显示面板驱动用途的氧化物半导体TFT的研发越来越活跃。其中,作为驱动OLED面板的有力候补,氧化物半导体TFT更是备受期待。与原来采用非晶硅TFT相比,氧化物半导体TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs,是前者的10倍左右,这样就便于提高OLED面板的亮度。另外,氧化物TFT的特性不均较小,而且电流的时间变化也较少。因此,可轻松抑制OLED显示器的显示不均现象,适于大面积化用途。另外,由于氧化物TFT可通过溅射法制造,因此导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线。

    本文来自:http://www.51touch.com/epaper/news/2010/0208/5358.html

    鉴于上述优点,韩国LG显示器(LGDisplay)、韩国三星电子(SamsungElectronics)以及台湾友达光电(AUOptronics)等韩国和台湾的大型面板厂商纷纷加大氧化物TFT的开发力度,日本厂商则是最近才开始大力开发。

    夏普在2009年12月举行的显示器技术国际学会“16thInternationalDisplayWorkshops(IDW’09)”上,公开了采用氧化物TFT的2.6英寸QVGA(320×240像素)液晶面板。氧化物半导体采用了IGZO(In-Ga-Zn-O)。

    凸版印刷的TFT采用了可进行涂布的氧化物半导体。由于采用了涂布工艺,有望降低制造成本。该公司试制出了将制造工序中的最高温度降至270℃的氧化物TFT。与采用原来涂布工艺制造的氧化物TFT相比,其最高温度“要低100℃以上”(凸版印刷)。凸版印刷的试制品是在玻璃底板上制作的,通过旋转覆盖(SpinCoat)对氧化物半导体进行涂布成膜。栅极绝缘膜以及源极等各个电极都可采用原来的制造工序。

    虽然比不上采用溅射法制造的产品,但凸版印刷的试制品实现了与普通非晶硅TFT同等程度的特性,迁移率超过0.5cm2/Vs,开关比超过105。特点是将电子纸和液晶面板的驱动纳入考虑范围。凸版印刷已经利用该试制品成功地驱动了美国EInk生产的2英寸电子纸。


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