IPHONE TP属静电容
触摸屏结构，支持
多点触摸，但不能支持手写，以下是膜层的组成结构：
. p1 A- F V4 b5 m6 b& h& Y一、结构形式：9 H6 I5 O: C! B2 @. C7 r
反面：Glass+SiO2+
ITO+MoAlMo+SiO2
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正面：Glass+SiO2+ITO+SiO2（触控面）
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二、膜层规格及功用：
6 o1 t: e. y' [, L* K* j I0 |前面一层SiO2：150A，主要是增加GLASS与
ITO膜的附着性
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最外一层SiO2：1000A，主要是用于表面钝化，起保护作用
8 F! |% `1 v" Z3 }& [ITO层：250A，用于图形区的patern图案走线，作电极用，上下表面成十字交错形式，内似于LCD走线结构
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MoAlMo: 3500A，方块电阻<0.35欧，用于外围引线，因此走线长度、宽度对外围电极的阻抗值影响较小，提高了屏的敏感性能。
! p# a1 d0 k- Y" A三、膜层蚀刻技术
* B; R" H3 T: J, H2 e干法蚀刻：
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1、直接采用金属MASK的溅镀方式，需要专用对位装备和夹具，成本较低，生产率高，制程最简单，不过只能适用外层SiO2，缺点：pattern图案不能太复杂；原理同TFT Pattern ITO形式相同。
& Q. [, u' R1 N) n1 s1 s% K2、激光蚀刻技术，激光设备在200万至300万，主要是国外进口设备，目前这项技术已用于量产，目前很多TP公司都采用这种方式，制程相对简单。适用于SiO2、ITO、MoAlMo等膜层，蚀刻精度，可以通过调整激光束的大小和脉冲点数来达到最终目的，激光头的多少则可直接影响到生产效率。废气处理也相对较为简单，对加工环境的要求也不高，1000级即可。
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湿法蚀刻：
1 i" {# m6 W1 x5 Z. ?8 \+ ?工艺相对前面的干法蚀刻，
工艺相对较为复杂，增加了一道正型胶涂布
工艺，从而对良率控制也加大了些难度。正型胶涂布的质量直接影响到后面蚀刻的品质，如短路、断线等。但是目前
工艺最为成熟的一种加工形式，一次性投资成本相对较低些（在原有正型胶加工装备的前提下）。如果全新的投资那成本将会比干法湿刻大很多，曝光机一台的价格就在500万以上，再加烘烤设备，涂胶设备、清洗设备等，加工精度，视曝光机的精度而定，一般可达到5~10um。适用于产品转型的公司选择。
; [! `" }9 d: F/ m, a1、槽刻法：
8 `9 z$ g+ Y. _; K通过浸泡的方式进行，生产效率较低，单一的投资成本也很低，在5万元以下即可，但只适用于开发阶段或小批量生产阶段，良率也相对较低。
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2、strip形式：
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采用类似于清洗形式的流水喷淋方式对表面进行蚀刻，单一的蚀刻线包括上料段、蚀刻段、清洗段、正胶剥离段、清洗段、下料段。进口设备在200~300万左右，目前国内很多厂家也有做，价格在70万左右，但质量相差也较大。
. O* L/ c# r+ G* ~/ |8 c- n, [5 i SiO2：蚀刻液采用HF加缓冲剂的形式，蚀刻速率较高，需要注意控制，否则Glass也将会被蚀刻，出现过蚀现象。
/ H/ H( z2 |* ^* } ITO：FeCl3+HCl、HNO3+HCL+H2O两种使用得较多，也有使用氢溴酸、草酸系列(新型环保材料，对人体无伤害，无色无味无挥发，但蚀刻速率超低，目前还不太适用量产）。
2 \7 A. {: d. H MoAlMo: 冰醋酸+磷酸+硝酸
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9 z7 ^: Y1 C' t: g0 N% J以上是本人的一些总结，请各位大侠多指教，有时间多交流，呵呵。。。。
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